סמיקונדקטור גיליון נתונים

2SC327907 גיליון נתונים, במעגל, פונקציה

2SC327907 Datasheet PDF

יצרןאריזהתיאורPDFטמפרטורת
Toshiba Semiconductor Silicon Epitaxial Type process) Strobe Flash Applications 2SC327907 PDF
מינימום°C | מקסימלי°C

  • Rohm 2SC3270M
    High Voltage Amp.Triple Diffused Planar Silicon Transistors
  • 2SC3271
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126ISO
  • ROHM 2SC3271F
    Chroma Amplifier Transistor (300V, 0.1A)
  • 2SC3271FM
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126
  • 2SC3271FN
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126
  • 2SC3271FP
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126
  • 2SC3272
    TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR
  • Sanyo 2SC3277
    Triple Diffused Planar Silicon Transistor
  • 2SC3277L
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218VAR
  • 2SC3277M
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218VAR
  • 2SC3277N
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218VAR
  • Toshiba Semiconductor 2SC3279
    EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
  • Toshiba Semiconductor 2SC327907
    Silicon Epitaxial Type process) Strobe Flash Applications
  • 2SC3279L
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
  • 2SC3279M
    BJT

© 2026 - סמיקונדקטור גיליון נתונים מפת האתר
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam