סמיקונדקטור גיליון נתונים

2SC4393 גיליון נתונים, במעגל, פונקציה

2SC4393 Datasheet PDF

יצרןאריזהתיאורPDFטמפרטורת
Toshiba Semiconductor EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) 2SC4393 PDF
מינימום°C | מקסימלי°C

  • 2SC400
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18
  • 2SC4000
  • 2SC4000K
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-221VAR
  • 2SC4000L
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-221VAR
  • 2SC4000M
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-221VAR
  • NEC[NEC] 2SC4001
    SILICON POWER TRANSISTOR
  • NEC 2SC4001K
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126
  • NEC 2SC4001L
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126
  • NEC 2SC4001M
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126
  • Sanyo 2SC4002
    Triple Diffused Planar Silicon Transistor
  • 2SC4002D
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
  • 2SC4002E
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
  • Sanyo 2SC4003
    Triple Diffused Planar Silicon Transistor
  • 2SC4003D
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-252
  • 2SC4003E
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-252

© 2024 - סמיקונדקטור גיליון נתונים מפת האתר
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam